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  周二存储概念股领涨半导体,东芯股份20CM涨停,普冉股份涨超14% ,帝科股份、精智达涨超10%,康强电子、华天科技涨停。

  消息面上,据澎湃新闻 ,韩国《电子时报》报道,今年第一季度,三星电子将NAND闪存的供应价格上调了100%以上 ,这一涨幅远高于市场此前预期,此前调研机构TrendForce预测今年涨价幅度为33%至38%。

  而三星电子此前已通知客户,将旗下所有存储半导体产品的价格上调 。据悉 ,此次涨价涉及高带宽内存(HBM) 、DDR5和DDR4等通用DRAM。

  野村证券等海外投行指出,即使是市场排名第五的SanDisk,也计划在新的一年将NAND价格上调100%。一位行业相关人士表示 ,与DRAM的情况如出一辙 ,NAND制造商纷纷加入涨价行列,全行业的全面提价已成定局 。

  NAND涨价主要是由于随着数据中心扩张,企业级固态硬盘(eSSD)需求爆发 ,以及“端侧AI”推动移动设备和PC向高容量存储升级,需求端呈现指数级增长。然而,供给端并未能及时跟进 ,导致存储芯片市场正陷入“有价无货 ”的局面。

  花旗、摩根士丹利以及美国银行研究团队一致认为,AI浪潮驱动的“存储芯片超级周期”全面到来,且这一轮周期的强度与持续时间长度可能远远强于2018年的那轮“云计算时代驱动的存储超级牛市” 。

  以Peter Lee为首的花旗分析师预计 ,2026年DRAM与闪存产品的平均售价或将分别上涨88%、74%,涨幅高于花旗此前预测的53% 、44%。

  分析师指出,受AI应用程序使用率提升 ,以及AI训练和推理专用中央处理器需求增长的推动,今年通用型存储器产品预计将出现严重短缺。

  野村分析师认为,这一轮始于2025年下半年的“存储芯片超级周期 ”至少延续至2027年 ,并且真正有意义的新增供给最早要到2028年初期才会出现 。

(文章来源:东方财富研究中心)

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